PMV50UPE,215
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NXP
恩智浦
分立器件
PMV50UPE,215中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500mW Ta
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 700 ns
输入电容Ciss 24pF @10VVds
下降时间 8800 ns
耗散功率Max 500mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMV50UPE,215引脚图与封装图
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| PMV50UPE,215 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3Pin TO-236AB T/R | 搜索库存 |