PSMN4R3-80ES,127
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
耗散功率 306 W
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 8161pF @40VVds
额定功率Max 306 W
下降时间 33 ns
耗散功率Max 306W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN4R3-80ES,127 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3Pin3+Tab I2PAK Rail | 搜索库存 |