PMCXB900UE
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NXP
恩智浦
主动器件
PMCXB900UE中文资料参数规格
技术参数
极性 N+P
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.6A/0.5A
输入电容Ciss 21.3pF @10VVds
额定功率Max 265 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 XFDFN-6
外形尺寸
封装 XFDFN-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMCXB900UE引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMCXB900UE | NXP 恩智浦 | 20V时，互补的N / P沟道MOSFET的沟道 20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET | 搜索库存 |