PMZ370UNEYL
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PMZ370UNEYL中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 360mW Ta, 2.7W Tc
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 78pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
耗散功率Max 360mW Ta, 2.7W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DFN1006-3
外形尺寸
封装 DFN1006-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMZ370UNEYL引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMZ370UNEYL | NXP 恩智浦 | MOSFET Transistor, N Channel, 900mA, 30V, 0.37Ω, 4.5V, 770mV | 搜索库存 |