PSMN4R4-80BS,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN4R4-80BS,118中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 306W Tc
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 38.1 ns
输入电容Ciss 8400pF @40VVds
额定功率Max 306 W
下降时间 18.4 ns
耗散功率Max 306W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN4R4-80BS,118引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN4R4-80BS,118 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |