
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 39.0 A
输入电容Ciss 3750pF @25VVds
额定功率Max 250 W
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN057-200B,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 200V 39A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PSMN057-200B,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: D2PAK N-Channel 200V 39A | 当前型号 | D2PAK N-CH 200V 39A | 当前型号 | |
型号: STB40NF20 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 200V 25A 45mohms 2.5nF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V | PSMN057-200B,118和STB40NF20的区别 | |
型号: STB75NF20 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 200V 47A 34mohms | 功能相似 | N 通道 STripFET™,STMicroelectronics | PSMN057-200B,118和STB75NF20的区别 |