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PSMN057-200B,118

PSMN057-200B,118

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PSMN057-200B,118中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 39.0 A

输入电容Ciss 3750pF @25VVds

额定功率Max 250 W

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PSMN057-200B,118引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PSMN057-200B,118 NXP 恩智浦 D2PAK N-CH 200V 39A 搜索库存
替代型号PSMN057-200B,118
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PSMN057-200B,118

品牌: NXP 恩智浦

封装: D2PAK N-Channel 200V 39A

当前型号

D2PAK N-CH 200V 39A

当前型号

型号: STB40NF20

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 200V 25A 45mohms 2.5nF

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V

PSMN057-200B,118和STB40NF20的区别

型号: STB75NF20

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 200V 47A 34mohms

功能相似

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

PSMN057-200B,118和STB75NF20的区别