PHP18NQ11T,127
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NXP
恩智浦
分立器件
PHP18NQ11T,127中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 79 W
漏源极电压Vds 110 V
输入电容Ciss 633pF @25VVds
额定功率Max 79 W
耗散功率Max 79W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHP18NQ11T,127引脚图与封装图
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在线购买PHP18NQ11T,127
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHP18NQ11T,127 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 110V 18A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | 搜索库存 |
替代型号PHP18NQ11T,127
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHP18NQ11T,127 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-220AB | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 110V 18A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | 当前型号 |
| 型号： PHP18NQ11T 品牌： 恩智浦 封装： TO-220AB N-CH 110V 18A 633pF | 类似代替 | N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET | PHP18NQ11T,127和PHP18NQ11T的区别 |