PMCM650VNEZ
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NXP
恩智浦
分立器件
PMCM650VNEZ中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 556mW Ta, 12.5W Tc
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 6.4A
输入电容Ciss 1060pF @6VVds
耗散功率Max 556mW Ta, 12.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 WLCSP-6
外形尺寸
封装 WLCSP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Pre-Release
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
PMCM650VNEZ引脚图与封装图
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| PMCM650VNEZ | NXP 恩智浦 | N沟道 12V 6.4A | 搜索库存 |