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PMV37EN2R
NXP 恩智浦 分立器件
PMV37EN2R中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 510mW Ta, 5W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 209pF @15VVds

额定功率Max 510 mW

耗散功率Max 510mW Ta, 5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

PMV37EN2R引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PMV37EN2R NXP 恩智浦 Trans MOSFET N-CH 30V 5.6A 3Pin TO-236AB T/R 搜索库存