PSMN085-150K,518

NXP 恩智浦分立器件

SO N-CH 150V 3.5A

N-Channel 150 V 3.5A Tc 3.5W Tc Surface Mount 8-SO

得捷:
NEXPERIA PSMN085-150K - 3.5A, 15

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SO T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SO T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SO T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SO T/R

PSMN085-150K,518中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.5 W

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 3.5A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 1310pF @25VVds

额定功率Max 3.5 W

下降时间 30 ns

耗散功率Max 3.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PSMN085-150K,518引脚图与封装图

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在线购买PSMN085-150K,518

型号	制造商	描述	购买
PSMN085-150K,518	NXP 恩智浦	SO N-CH 150V 3.5A	搜索库存

替代型号PSMN085-150K,518

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PSMN085-150K,518 品牌： NXP 恩智浦封装： SOT96 N-CH 150V 3.5A	当前型号	SO N-CH 150V 3.5A	当前型号
型号： PSMN085-150K 品牌：恩智浦封装：	完全替代	N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET	PSMN085-150K,518和PSMN085-150K的区别
型号： FDS2570 品牌：飞兆/仙童封装： SOIC N-Channel 150V 3A 80ohms	功能相似	150V N沟道PowerTrench MOSFET的 150V N-Channel PowerTrench MOSFET	PSMN085-150K,518和FDS2570的区别
型号： HUF75831SK8T 品牌：飞兆/仙童封装： SO N-Channel 150V 3A 95mohms	功能相似	3A ， 150V ， 0.095 Ohm的N通道， UltraFET功率MOSFET 3A, 150V, 0.095 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET	PSMN085-150K,518和HUF75831SK8T的区别