PHD101NQ03LT,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PHD101NQ03LT,118中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 166 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 2180pF @25VVds
额定功率Max 166 W
下降时间 33 ns
耗散功率Max 166W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHD101NQ03LT,118引脚图与封装图
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在线购买PHD101NQ03LT,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHD101NQ03LT,118 | NXP 恩智浦 | DPAK N-CH 30V 75A | 搜索库存 |
替代型号PHD101NQ03LT,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHD101NQ03LT,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT428 N-Channel 30V 75A | 当前型号 | DPAK N-CH 30V 75A | 当前型号 |
| 型号： BUK9207-30B,118 品牌： 恩智浦 封装： SOT428 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 30V 112A 3Pin2+Tab DPAK T/R | PHD101NQ03LT,118和BUK9207-30B,118的区别 |
| 型号： BUK7207-30B,118 品牌： 恩智浦 封装： DPAK | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 30V 112A 3Pin2+Tab DPAK T/R | PHD101NQ03LT,118和BUK7207-30B,118的区别 |