PMPB40SNA,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PMPB40SNA,115中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.7W Ta, 12.5W Tc
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 612pF @30VVds
额定功率Max 1.7 W
下降时间 12 ns
耗散功率Max 1.7W Ta, 12.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DFN2020-6
外形尺寸
封装 DFN2020-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMPB40SNA,115引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| PMPB40SNA,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 60V 12.9A 6Pin DFN-MD T/R | 搜索库存 |