PSMN7R6-100BSEJ
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PSMN7R6-100BSEJ中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 296 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 48 ns
输入电容Ciss 7110pF @50VVds
额定功率Max 296 W
下降时间 47 ns
耗散功率Max 296W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN7R6-100BSEJ引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| PSMN7R6-100BSEJ | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3Pin D2PAK T/R | 搜索库存 |