PSMN035-150B,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN035-150B,118中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 138 ns
输入电容Ciss 4720pF @25VVds
额定功率Max 250 W
下降时间 93 ns
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN035-150B,118引脚图与封装图
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在线购买PSMN035-150B,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN035-150B,118 | NXP 恩智浦 | PSMN 系列 150 V 35 mΩ 250 W N沟道 增强模式 晶体管 - SOT-404 | 搜索库存 |
替代型号PSMN035-150B,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN035-150B,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： D2PAK N-Channel 150V 50A | 当前型号 | PSMN 系列 150 V 35 mΩ 250 W N沟道 增强模式 晶体管 - SOT-404 | 当前型号 |
| 型号： PSMN035-150B/T3 品牌： 恩智浦 封装： SOT-404 150V 50A 4.72nF | 类似代替 | MOSFET Power TAPE13 PWR-MOS | PSMN035-150B,118和PSMN035-150B/T3的区别 |
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