PMK30EP,518
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PMK30EP,518中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 6.9 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 2240pF @25VVds
额定功率Max 6.9 W
下降时间 21 ns
耗散功率Max 6.9W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMK30EP,518引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| PMK30EP,518 | NXP 恩智浦 | MOSFET P-CH FET 30V 14.9A 8-SOIC | 搜索库存 |