
极性 N-Channel
耗散功率 148 W
阈值电压 4.8 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 57A
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 2404pF @50VVds
额定功率Max 148 W
下降时间 18 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 148W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN016-100PS,127 | NXP 恩智浦 | TO-220AB N-CH 100V 57A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PSMN016-100PS,127 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-220AB N-Channel 100V 57A | 当前型号 | TO-220AB N-CH 100V 57A | 当前型号 | |
型号: STP120NF10 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 100V 110A 10.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V | PSMN016-100PS,127和STP120NF10的区别 | |
型号: STP40NF10L 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 100V 40A 33mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™,STMicroelectronics | PSMN016-100PS,127和STP40NF10L的区别 | |
型号: FQP13N10L 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-220 N-Channel 100V 12.8A 180mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP13N10L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 2 V | PSMN016-100PS,127和FQP13N10L的区别 |