PHB191NQ06LT,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PHB191NQ06LT,118中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
上升时间 232 ns
输入电容Ciss 7665pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 178 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHB191NQ06LT,118引脚图与封装图
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在线购买PHB191NQ06LT,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHB191NQ06LT,118 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 55V 75A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号PHB191NQ06LT,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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