PSMNR90-30BL,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMNR90-30BL,118中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 306 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 213 ns
输入电容Ciss 14850pF @15VVds
下降时间 115 ns
耗散功率Max 306W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMNR90-30BL,118引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMNR90-30BL,118 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |