PSMN030-150B,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN030-150B,118中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 250 W
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 55.5A
上升时间 71 ns
输入电容Ciss 3680pF @25VVds
额定功率Max 250 W
下降时间 76 ns
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
宽度 9.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN030-150B,118引脚图与封装图
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在线购买PSMN030-150B,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN030-150B,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 150V 55.5A | 搜索库存 |
替代型号PSMN030-150B,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN030-150B,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT404 N-CH 150V 55.5A | 当前型号 | D2PAK N-CH 150V 55.5A | 当前型号 |
| 型号： PSMN030-150B 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor | PSMN030-150B,118和PSMN030-150B的区别 |