PMXB65ENEZ
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PMXB65ENEZ中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 400mW Ta, 8.33W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.2A
输入电容Ciss 295pF @15VVds
额定功率Max 400 mW
耗散功率Max 400mW Ta, 8.33W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 XDFN-3
外形尺寸
封装 XDFN-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
PMXB65ENEZ引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PMXB65ENEZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMXB65ENEZ | NXP 恩智浦 | DFN-D N-CH 30V 3.2A | 搜索库存 |