PSMN6R0-30YLB,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
耗散功率 58 W
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 1088pF @15VVds
额定功率Max 58 W
耗散功率Max 58W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-669
封装 SOT-669
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN6R0-30YLB,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 30V 71A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | 搜索库存 |