PMZB290UNE,315

NXP 恩智浦分立器件

DFN-B N-CH 20V 1A

N-Channel 20 V 1A Ta 360mW Ta, 2.7W Tc Surface Mount DFN1006B-3

得捷:
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-883B T/R

富昌:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-883B T/R

PMZB290UNE,315中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 360mW Ta, 2.7W Tc

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 83pF @10VVds

额定功率Max 360 mW

下降时间 31 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360mW Ta, 2.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 XFDFN-3

外形尺寸

封装 XFDFN-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMZB290UNE,315引脚图与封装图

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