PSMN070-200B,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN070-200B,118中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 250 W
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 4570pF @25VVds
额定功率Max 250 W
下降时间 90 ns
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN070-200B,118引脚图与封装图
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在线购买PSMN070-200B,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN070-200B,118 | NXP 恩智浦 | MOSFET N-CH 200V 35A SOT404 | 搜索库存 |
替代型号PSMN070-200B,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN070-200B,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： D2PAK | 当前型号 | MOSFET N-CH 200V 35A SOT404 | 当前型号 |
| 型号： FQB34N20LTM 品牌： 飞兆/仙童 封装： D2PAK N-Channel 200V 31A 75mohms 3.9nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB34N20LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 2 V | PSMN070-200B,118和FQB34N20LTM的区别 |