PHB45NQ10T,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PHB45NQ10T,118中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 2600pF @25VVds
额定功率Max 150 W
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHB45NQ10T,118引脚图与封装图
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在线购买PHB45NQ10T,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHB45NQ10T,118 | NXP 恩智浦 | MOSFET N-CH 100V 47A SOT404 | 搜索库存 |
替代型号PHB45NQ10T,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHB45NQ10T,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT404 | 当前型号 | MOSFET N-CH 100V 47A SOT404 | 当前型号 |
| 型号： PHB47NQ10T,118 品牌： 恩智浦 封装： SOT404 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | PHB45NQ10T,118和PHB47NQ10T,118的区别 |
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