PHB32N06LT,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PHB32N06LT,118中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 97 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 34A
输入电容Ciss 1280pF @25VVds
额定功率Max 97 W
耗散功率Max 97W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHB32N06LT,118引脚图与封装图
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在线购买PHB32N06LT,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHB32N06LT,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 60V 34A | 搜索库存 |
替代型号PHB32N06LT,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHB32N06LT,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT404 N-CH 60V 34A | 当前型号 | D2PAK N-CH 60V 34A | 当前型号 |
| 型号： PHB32N06LT 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor | PHB32N06LT,118和PHB32N06LT的区别 |