PHD9NQ20T,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PHD9NQ20T,118中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 88 W
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 8.7A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 959pF @25VVds
额定功率Max 88 W
下降时间 15 ns
耗散功率Max 88W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
宽度 6.22 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHD9NQ20T,118引脚图与封装图
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在线购买PHD9NQ20T,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHD9NQ20T,118 | NXP 恩智浦 | DPAK N-CH 200V 8.7A | 搜索库存 |
替代型号PHD9NQ20T,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHD9NQ20T,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT428 N-CH 200V 8.7A | 当前型号 | DPAK N-CH 200V 8.7A | 当前型号 |
| 型号： FDD6N20TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： DPAK N-Channel 200V 4.5A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 5 V | PHD9NQ20T,118和FDD6N20TM的区别 |
| 型号： 2SK214 品牌： 瑞萨电子 封装： TO-220AB N-CH 160V 500mA | 功能相似 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | PHD9NQ20T,118和2SK214的区别 |