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PMZB390UNEYL

PMZB390UNEYL

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PMZB390UNEYL中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 350mW Ta, 5.43W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 0.9A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 41pF @15VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350mW Ta, 5.43W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN1006B-3

外形尺寸

封装 DFN1006B-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Pre-Release

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMZB390UNEYL引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PMZB390UNEYL NXP 恩智浦 DFN-B N-CH 30V 0.9A 搜索库存
替代型号PMZB390UNEYL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PMZB390UNEYL

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT883 N-CH 30V 0.9A

当前型号

DFN-B N-CH 30V 0.9A

当前型号

型号: PMZB420UN,315

品牌: 恩智浦

封装: SOT883

类似代替

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3Pin DFN T/R

PMZB390UNEYL和PMZB420UN,315的区别