PMZB390UNEYL
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 350mW Ta, 5.43W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 0.9A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 41pF @15VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta, 5.43W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DFN1006B-3
封装 DFN1006B-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Pre-Release
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMZB390UNEYL | NXP 恩智浦 | DFN-B N-CH 30V 0.9A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PMZB390UNEYL 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT883 N-CH 30V 0.9A | 当前型号 | DFN-B N-CH 30V 0.9A | 当前型号 | |
型号: PMZB420UN,315 品牌: 恩智浦 封装: SOT883 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3Pin DFN T/R | PMZB390UNEYL和PMZB420UN,315的区别 |