PMZ1000UN,315

NXP 恩智浦分立器件

DFN N-CH 30V 0.48A

Bipolar BJT Transistor

得捷:
NEXPERIA PMZ1000UN - SMALL SIGNA

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.48A 3-Pin DFN T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.48A 3-Pin DFN T/R

富昌:
N-Channel 30 V 1 Ω 0.89 nC SMT TrenchMOS standard level FET - SOT-883

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.48A 3-Pin DFN T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.48A 3-Pin DFN T/R

PMZ1000UN,315中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 0.35 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 0.48A

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 43pF @25VVds

额定功率Max 350 mW

下降时间 4.5 ns

耗散功率Max 350mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN1006-3

外形尺寸

封装 DFN1006-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

PMZ1000UN,315引脚图与封装图

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