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PMZB320UPEYL

PMZB320UPEYL

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3Pin DFN T/R

* Trench MOSFET technology * Low threshold voltage * Very fast switching * ElectroStatic Discharge ESD protection > 2 kV HBM * Ultra thin package profile of 0.37 mm


得捷:
MOSFET P-CH 30V SOT883


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R


PMZB320UPEYL中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 350mW Ta, 6.25W Tc

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 122pF @15VVds

额定功率Max 350 mW

下降时间 5 ns

耗散功率Max 350mW Ta, 6.25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DFN1006B-3

外形尺寸

封装 DFN1006B-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Pre-Release

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 无铅

PMZB320UPEYL引脚图与封装图
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