PMZB320UPEYL
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
耗散功率 350mW Ta, 6.25W Tc
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 122pF @15VVds
额定功率Max 350 mW
下降时间 5 ns
耗散功率Max 350mW Ta, 6.25W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 DFN1006B-3
封装 DFN1006B-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Pre-Release
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMZB320UPEYL | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3Pin DFN T/R | 搜索库存 |