PSMN3R3-40YS,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PSMN3R3-40YS,115中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 117W Tc
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 2754pF @20VVds
额定功率Max 117 W
下降时间 14 ns
耗散功率Max 117W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN3R3-40YS,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PSMN3R3-40YS,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN3R3-40YS,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | 搜索库存 |