PSMN005-75B,118
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
耗散功率 230 W
漏源极电压Vds 75 V
上升时间 73 ns
输入电容Ciss 8250pF @25VVds
额定功率Max 230 W
下降时间 74 ns
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
PSMN005-75B,118 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: PSMN005-75B,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT404 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |