PHK18NQ03LT,518
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NXP
恩智浦
分立器件
PHK18NQ03LT,518中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 6.25 W
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 1380pF @12VVds
额定功率Max 6.25 W
耗散功率Max 6.25W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHK18NQ03LT,518引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHK18NQ03LT,518 | NXP 恩智浦 | MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号PHK18NQ03LT,518
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHK18NQ03LT,518 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT96 | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC | 当前型号 |
| 型号： PHK18NQ03LT 品牌： 恩智浦 封装： | 完全替代 | N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET | PHK18NQ03LT,518和PHK18NQ03LT的区别 |