PMZB370UNE,315

NXP 恩智浦分立器件

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3Pin DFN T/R

N-Channel 30 V 900mA Ta 360mW Ta, 2.7W Tc Surface Mount DFN1006B-3

得捷:
EFFECT TRANSISTOR, 0.9A ID, 30

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

PMZB370UNE,315中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 360mW Ta, 2.7W Tc

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 78pF @25VVds

额定功率Max 360 mW

下降时间 27 ns

耗散功率Max 360mW Ta, 2.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 XFDFN-3

外形尺寸

封装 XFDFN-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMZB370UNE,315引脚图与封装图

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