PSMN102-200Y,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN102-200Y,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 113000 mW
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 21.5A
上升时间 29.5 ns
输入电容Ciss 1568pF @30VVds
额定功率Max 113 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 113W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-669-4
外形尺寸
宽度 4.1 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-669-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN102-200Y,115引脚图与封装图
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在线购买PSMN102-200Y,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN102-200Y,115 | NXP 恩智浦 | LFPAK N-CH 200V 21.5A | 搜索库存 |
替代型号PSMN102-200Y,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN102-200Y,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： LFPAK N-CH 200V 21.5A | 当前型号 | LFPAK N-CH 200V 21.5A | 当前型号 |
| 型号： PSMN102-200Y 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET | PSMN102-200Y,115和PSMN102-200Y的区别 |