PSMN1R9-40PLQ
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PSMN1R9-40PLQ中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 349W Tc
漏源极电压Vds 40 V
输入电容Ciss 13200pF @25VVds
额定功率Max 349 W
耗散功率Max 349W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN1R9-40PLQ引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| PSMN1R9-40PLQ | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | 搜索库存 |