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PHB47NQ10T,118

PHB47NQ10T,118

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PHB47NQ10T,118中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 166 W

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 3100pF @25VVds

额定功率Max 166 W

耗散功率Max 166W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PHB47NQ10T,118引脚图与封装图
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在线购买PHB47NQ10T,118
型号 制造商 描述 购买
PHB47NQ10T,118 NXP 恩智浦 Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3Pin2+Tab D2PAK T/R 搜索库存
替代型号PHB47NQ10T,118
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PHB47NQ10T,118

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT404

当前型号

Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

当前型号

型号: BUK7628-100A,118

品牌: 恩智浦

封装: SOT404 N-CH 100V 47A

完全替代

D2PAK N-CH 100V 47A

PHB47NQ10T,118和BUK7628-100A,118的区别

型号: PHB45NQ10T,118

品牌: 恩智浦

封装: SOT404

类似代替

MOSFET N-CH 100V 47A SOT404

PHB47NQ10T,118和PHB45NQ10T,118的区别