PSMN6R1-30YLDX
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
耗散功率 47W Tc
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 817pF @15VVds
下降时间 7.2 ns
耗散功率Max 47W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN6R1-30YLDX | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 30V 66A 4Pin LFPAK-56 T/R | 搜索库存 |