PMV40UN2R

NXP 恩智浦分立器件

PMV40UN2 系列 30 V 44 mOhm 3.7 A 通孔 N-沟道 Trench MOSFET-TO-236AB

Bipolar BJT Transistor

得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin TO-236AB T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

富昌:
PMV40UN2 系列 30 V 44 mOhm 3.7 A 通孔 N-沟道 Trench MOSFET-TO-236AB

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin TO-236AB T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23

PMV40UN2R中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 490mW Ta

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.4A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 635pF @15VVds

额定功率Max 490 mW

下降时间 12 ns

耗散功率Max 490mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMV40UN2R引脚图与封装图

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