PMN50UPE,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
耗散功率 510mW Ta
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 24pF @10VVds
额定功率Max 510 mW
耗散功率Max 510mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-457
封装 SOT-457
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMN50UPE,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6Pin TSOP T/R | 搜索库存 |