PSMN3R9-60PSQ
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PSMN3R9-60PSQ中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 263W Tc
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 5600pF @25VVds
额定功率Max 263 W
耗散功率Max 263W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN3R9-60PSQ引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PSMN3R9-60PSQ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN3R9-60PSQ | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 60V 130A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | 搜索库存 |