PSMN1R5-30YL,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN1R5-30YL,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 109 W
阈值电压 1.51 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100A
输入电容Ciss 5057pF @12VVds
额定功率Max 109 W
耗散功率Max 109W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-669-4
外形尺寸
封装 SOT-669-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN1R5-30YL,115引脚图与封装图
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在线购买PSMN1R5-30YL,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN1R5-30YL,115 | NXP 恩智浦 | LFPAK N-CH 30V 100A | 搜索库存 |
替代型号PSMN1R5-30YL,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN1R5-30YL,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： LFPAK N-Channel 30V 100A | 当前型号 | LFPAK N-CH 30V 100A | 当前型号 |
| 型号： PSMN3R5-30YL,115 品牌： 恩智浦 封装： LFPAK N-Channel 30V 100A | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | PSMN1R5-30YL,115和PSMN3R5-30YL,115的区别 |