锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

PMV45EN2R
NXP 恩智浦 分立器件
PMV45EN2R中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 510mW Ta, 5W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5.1A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 209pF @15VVds

额定功率Max 510 mW

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 510mW Ta, 5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMV45EN2R引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PMV45EN2R
型号 制造商 描述 购买
PMV45EN2R NXP 恩智浦 PMV45EN2 系列 30 V 42 mOhm 表面贴装 N-沟道 Trench MOSFET - TO-236AB 搜索库存