PSMN2R4-30YLDX
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PSMN2R4-30YLDX中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 106W Tc
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 27.5 ns
输入电容Ciss 2256pF @15VVds
额定功率Max 106 W
下降时间 13.9 ns
耗散功率Max 106W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
PSMN2R4-30YLDX引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PSMN2R4-30YLDX
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN2R4-30YLDX | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 4Pin LFPAK-56 T/R | 搜索库存 |