PSMN2R8-80BS,118
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
耗散功率 306 W
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 43 ns
输入电容Ciss 9961pF @40VVds
额定功率Max 306 W
下降时间 44 ns
耗散功率Max 306W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN2R8-80BS,118 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |