极性 N-CH
耗散功率 62000 mW
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 20.3A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 483pF @25VVds
额定功率Max 62 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
PHB20N06T,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 55V 20.3A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: PHB20N06T,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT404 N-CH 55V 20.3A | 当前型号 | D2PAK N-CH 55V 20.3A | 当前型号 | |
型号: IRF9Z34NPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL P-Channel 55V 19A | 功能相似 | P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | PHB20N06T,118和IRF9Z34NPBF的区别 | |
型号: IRFR024NTRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 55V 17A | 功能相似 | INFINEON IRFR024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V | PHB20N06T,118和IRFR024NTRPBF的区别 | |
型号: IRFR1205TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 55V 44A | 功能相似 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | PHB20N06T,118和IRFR1205TRPBF的区别 |