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PHB20N06T,118

PHB20N06T,118

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

D2PAK N-CH 55V 20.3A

N-Channel 55 V 20.3A Tc 62W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 20.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 20.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK


PHB20N06T,118中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 62000 mW

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 20.3A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 483pF @25VVds

额定功率Max 62 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PHB20N06T,118引脚图与封装图
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PHB20N06T,118 NXP 恩智浦 D2PAK N-CH 55V 20.3A 搜索库存
替代型号PHB20N06T,118
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PHB20N06T,118

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT404 N-CH 55V 20.3A

当前型号

D2PAK N-CH 55V 20.3A

当前型号

型号: IRF9Z34NPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL P-Channel 55V 19A

功能相似

P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

PHB20N06T,118和IRF9Z34NPBF的区别

型号: IRFR024NTRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 17A

功能相似

INFINEON  IRFR024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V

PHB20N06T,118和IRFR024NTRPBF的区别

型号: IRFR1205TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 55V 44A

功能相似

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

PHB20N06T,118和IRFR1205TRPBF的区别