极性 N-Channel
耗散功率 74 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100 A
输入电容Ciss 2458pF @12VVds
额定功率Max 74 W
耗散功率Max 74W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
封装 SOT-669
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN3R5-30YL,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PSMN3R5-30YL,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: LFPAK N-Channel 30V 100A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | 当前型号 | |
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型号: HAT2165H-EL-E 品牌: 瑞萨电子 封装: LFPAK N-CH 30V 55A | 功能相似 | 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching | PSMN3R5-30YL,115和HAT2165H-EL-E的区别 | |
型号: RJK0301DPB-00#J0 品牌: 瑞萨电子 封装: LFPAK 30V 60A 5nF | 功能相似 | N沟道 30V 60A | PSMN3R5-30YL,115和RJK0301DPB-00#J0的区别 |