PESD5V0V4UW
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
电子元器件分类
PESD5V0V4UW中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 6.8 V
钳位电压 13 V
脉冲峰值功率 16 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
封装 SOT-665
外形尺寸
封装 SOT-665
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Each
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17
PESD5V0V4UW引脚图与封装图
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在线购买PESD5V0V4UW
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PESD5V0V4UW | NXP 恩智浦 | TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD | 搜索库存 |
替代型号PESD5V0V4UW
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PESD5V0V4UW 品牌： NXP 恩智浦 封装： | 当前型号 | TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD | 当前型号 |
| 型号： PESD5V0V4UW,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT665 | 功能相似 | ESD ElectroStatic Discharge Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, NXP### 瞬态电压抑制器，NXP | PESD5V0V4UW和PESD5V0V4UW,115的区别 |
