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PDTC114EK
NXP 恩智浦 电子元器件分类

TRANS RET TAPE-11

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 30 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 230MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.25W /250mW Description & Applications| FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs 描述与应用| 特性 •内置偏置电阻 •简化电路设计 •减少元件数量 •减少取放成本

PDTC114EK中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

封装 SC-59A

外形尺寸

封装 SC-59A

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

PDTC114EK引脚图与封装图
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型号: PDTC114EK

品牌: NXP 恩智浦

封装:

当前型号

TRANS RET TAPE-11

当前型号

型号: PDTC114EK,135

品牌: 恩智浦

封装: TO-236 NPN

类似代替

双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-11

PDTC114EK和PDTC114EK,135的区别

型号: PDTC114EK,115

品牌: 恩智浦

封装: MPAK NPN

类似代替

MPAK NPN 50V 100mA

PDTC114EK和PDTC114EK,115的区别

型号: DTC114EK

品牌: 恩智浦

封装:

功能相似

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, PLASTIC, SC-59, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

PDTC114EK和DTC114EK的区别