
频率 150 MHz
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 310 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1.35A/1.1A
最小电流放大倍数hFE 50
最大电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V
额定功率Max 1.1 W
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 1100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
高度 1 mm
封装 SC-74-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PBSS4240DPN,115 | NXP 恩智浦 | NXP PBSS4240DPN,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 40 V, 310 mW, 1.35 A, 300 hFE, SOT-457 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PBSS4240DPN,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-74 NPN 1100mW | 当前型号 | NXP PBSS4240DPN,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 40 V, 310 mW, 1.35 A, 300 hFE, SOT-457 | 当前型号 | |
型号: PBSS4240DPN 品牌: 恩智浦 封装: SOT-457 NPN 310mW | 完全替代 | NPN/PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors | PBSS4240DPN,115和PBSS4240DPN的区别 | |
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型号: S4240 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | PBSS4240DPN - 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor TSOP 6-Pin | PBSS4240DPN,115和S4240的区别 |