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PBSS4240DPN,115

PBSS4240DPN,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PBSS4240DPN,115中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

针脚数 6

极性 NPN, PNP

耗散功率 310 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1.35A/1.1A

最小电流放大倍数hFE 50

最大电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V

额定功率Max 1.1 W

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 1100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-74-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SC-74-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PBSS4240DPN,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS4240DPN,115
型号 制造商 描述 购买
PBSS4240DPN,115 NXP 恩智浦 NXP  PBSS4240DPN,115  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 40 V, 310 mW, 1.35 A, 300 hFE, SOT-457 搜索库存
替代型号PBSS4240DPN,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBSS4240DPN,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SC-74 NPN 1100mW

当前型号

NXP  PBSS4240DPN,115  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 40 V, 310 mW, 1.35 A, 300 hFE, SOT-457

当前型号

型号: PBSS4240DPN

品牌: 恩智浦

封装: SOT-457 NPN 310mW

完全替代

NPN/PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

PBSS4240DPN,115和PBSS4240DPN的区别

型号: BZX84-B15

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23

功能相似

NXP  BZX84-B15  单管二极管 齐纳, 15 V, 250 mW, SOT-23, 2 %, 3 引脚, 150 °C

PBSS4240DPN,115和BZX84-B15的区别

型号: S4240

品牌: 恩智浦

封装:

功能相似

PBSS4240DPN - 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor TSOP 6-Pin

PBSS4240DPN,115和S4240的区别