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PDTC124XT,215

PDTC124XT,215

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PDTC124XT,215中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 80

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PDTC124XT,215引脚图与封装图
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在线购买PDTC124XT,215
型号 制造商 描述 购买
PDTC124XT,215 NXP 恩智浦 NXP  PDTC124XT,215  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 100 mA, 80 hFE 搜索库存
替代型号PDTC124XT,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PDTC124XT,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23 NPN 250mW

当前型号

NXP  PDTC124XT,215  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 100 mA, 80 hFE

当前型号

型号: BZX84-C8V2,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB

完全替代

NXP  BZX84-C8V2,215  单管二极管 齐纳, 8.2 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C

PDTC124XT,215和BZX84-C8V2,215的区别

型号: MMUN2212LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMUN2212LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率, SOT-23

PDTC124XT,215和MMUN2212LT1G的区别